2014.02.18

世界初、28nmマイコンに内蔵するフラッシュメモリ技術を開発

～自動車用マイコン内蔵フラッシュメモリの大容量化を実現する28nmプロセス技術を確立～

ルネサス エレクトロニクス株式会社（代表取締役会長兼CEO：作田 久男、以下ルネサス）はこのたび、回路線幅に28nm（ナノメートル：10億分の1メートル）プロセスを採用したマイコン内蔵用フラッシュメモリIP（Intellectual Property）を世界で初めて開発しました。

内蔵用フラッシュメモリは今後、マイコンによる制御の高度化により当社の40nmプロセス技術で実現可能な最大容量8MB（メガバイト）を超える10MBクラスが必要になることが予想されています。

ルネサスはこのような大容量化ニーズにお応えできるように、従来の40nmプロセスから、さらに微細化を進めた28nmプロセスでの試作を進めてまいりましたが、このたび試作チップにより160MHzの高速読み出しと20年のデータ保持時間、25万回の書き換え回数（データ保存用の場合)を確認いたしました。微細化において内蔵用フラッシュメモリの性能・信頼性を維持することは加速度的に困難となってきていますが、当社は既に40nmプロセスまでの世代に採用し、高い実績を有するMONOS構造（注）フラッシュメモリのスケーラビリティを生かすことにより試作成功に至りました。

ルネサスは今後、高速読み出し・高信頼性と大容量（最大容量は16MB以上）に対応した28nm車載用フラッシュメモリ内蔵マイコン（以下フラッシュマイコン）の製品化に向け開発を加速していきます。

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